GE Gelonghui 消息称英特尔EMIB-T先进封装技术已突破90%良率 预计明年开始量产 2026/8/4 GMT+8 09:09 Gelonghui IN INTC 来源 Gelonghui 市场 股票 活跃标的 NASDAQ:INTC 语言 简体中文 格隆汇8月4日|据市场消息,英特尔EMIB-T先进封装技术已突破90%良率,预计明年开始量产,成本仅为台积电CoWoS的一半。 市场新闻 Gelonghui 费城半导体指数涨幅扩大至6% Gelonghui 美股异动丨AI硬件股盘前走强 英特尔、AMD均涨超5% Gelonghui 美股异动丨英特尔盘前涨3.5% EMIB-T封装良率逼近90% Gelonghui 英特尔锐炫Pro B70完成对MiniMax H3适配